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韓國檢方日前以涉嫌非法向中國轉移國家核心半導體技術為由，正式起訴三星電子前高層主管與工程人員等10名被告。案件焦點直指中國記憶體晶片製造商長鑫存儲（CXMT），突顯在全球記憶體晶片競爭日益白熱化之際，技術機密外洩已被視為國家級安全事件。
檢方調查認定，涉案人員在2016年至2023年間，長期、系統性的將三星全球率先開發的10奈米級DRAM（動態隨機存取記憶體）製程技術非法外洩至中國，對韓國半導體產業與國家技術安全造成重大損害。
10奈米級DRAM核心技術遭「整體外流」
據韓國半導體專業媒體The Elec報導，首爾中央地方檢察廳資訊技術犯罪調查部週二（23日）通報，涉案核心人物為曾任三星電子研發要職、後出任長鑫存儲開發負責人的A某（真實名字未公開）。A某在長鑫存儲全面主導10奈米級DRAM技術研發，涉嫌違反《產業技術保護法》，將韓國國家核心技術輸出海外，已被羈押起訴。
與其共同參與10奈米級DRAM研發的4名核心工程師亦被羈押起訴，另有5名分項研發負責人以不羈押方式起訴。
檢方指出，長鑫存儲是在中共投入鉅額資金成立的中國首家也是目前唯一的DRAM製造商，其在10奈米級DRAM的研發與量產過程中，不正當使用了韓國國內世界最高水準的半導體核心技術。
規避監管 手抄數百項製程參數
調查顯示，前三星研究員B某2016年跳槽至長鑫存儲時，為避開電子拷貝與拍攝可能留下的追蹤痕跡，改以手寫方式抄錄約600項關鍵DRAM製程工藝與設備參數，隨後將這些數據帶入中國。
檢方認定，該批資料屬於三星歷時5年、投入約1.6兆韓元（約新台幣347.8億元）研發的10奈米級DRAM核心成果，是整個製程體系中最具商業價值的技術資產。
此外，負責長鑫存儲潔淨製程的C某，也被指控經由供應鏈管道非法取得SK海力士（SK Hynix）的國家核心技術，進一步擴大了外洩範圍。
檢方認為，這些外流技術使長鑫存儲迅速補齊多項先進工藝缺口，並在2023年實現中國首次量產10奈米級DRAM，兩者「具有高度關聯性」。
檢方認定屬「有組織犯案」
檢方披露，涉案人員為躲避偵查，不僅成立空殼公司、多次轉移辦公地點，內部還流傳「要假設國情院（NIS，韓國最高情報與反情報機構）就在附近」等行動守則，甚至預先約定遭拘捕時使用暗號通知同夥。
檢方指出，相關外洩行為呈現明顯的組織性與持續性，並非單一個人所為。對於危及國家核心技術的案件，檢方強調將堅決、嚴正應對，並依法從重追究責任。
損失或達數十兆韓元
檢方估算，僅以三星電子為例，近年因技術流失造成的市場損失恐達5兆韓元。若計入整體產業鏈與未來競爭力受損，影響規模可能擴大至「數十兆韓元」級別。
此案曝光之際，正值全球記憶體晶片市場在AI需求帶動下價格走高、供應趨緊。技術外洩不僅影響企業競爭力，也牽動國家技術安全，因而在韓國產業界與科技界引發高度關注。◇
