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記憶體出現嚴重短缺潮，高盛近期發布報告提到，在2026年，DRAM（動態隨機存取記憶體）可能出現15年以來最嚴重的供應缺口，而NAND快閃記憶體也可能迎來史上最大等級的短缺之一，且美國雲端服務供應商巨頭不會採用中國長江存儲和長鑫存儲生產的DRAM晶片，因此記憶體的短缺不會被中國產能給滿足。
據高盛預估，今、明兩年全球DRAM供應成長率僅21%與19%，跟不上市場的需求，且廠商無塵室空間受限，短中期難以大幅擴產，具備明顯擴產彈性的僅剩三星P4廠，而SK海力士的新增空間則多數被HBM（高頻寬記憶體）吃下。另外，三星P5與海力士龍仁新廠則要到2027年下半年才有機會量產。
高盛認為，隨著AI伺服器的需求殷切，2026年將成為15年來最緊張的一年。另外，NAND同樣供需失衡，特別是企業級SSD（固態硬碟）的需求爆發，讓高盛認為，今年可能會出現NAND產業史上最大規模的供應短缺。
記憶體市況應不受中國影響
至於市場盛傳，中國將開出記憶體產能，以化解記憶體短缺困境。但綜合媒體報導，中國長江存儲和長鑫存儲生產出來的DRAM晶片，無法滿足中國內需市場，且美國雲端服務供應商巨頭不會使用他們的記憶體，因此暫不擔心記憶體市況受到中國DRAM的影響。
而在HBM部分，目前三星、SK海力士與美光正在競爭輝達（NVIDIA）的Vera Rubin平台，據韓國媒體報導，三星最快將於2月17日之後，開始向輝達出貨第六代的HBM4高頻寬記憶體晶片，成為全球首批交付客戶的量產版HBM4。
產業分析機構SemiAnalysis則提到，美光在輝達Rubin架構HBM供應鏈中的比重被下修至零，目前相關訂單被SK海力士與三星電子取得。不過，有媒體認為，美光最終仍可能取得約20%市占率。
相關消息導致美光股價於9日盤中一度重挫逾5%，終場收在383.5美元，跌幅收斂至2.84%。◇
