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川普政府正要求韓國記憶體廠擴大美國產能。韓國晶片大廠SK海力士（SK Hynix）在28日表示，2029年第3季將在美國新廠量產次世代HBM4E晶片，這也代表SK海力士在美國業務有重大進展。
路透社報導，SK海力士在美國印第安納州西拉菲葉特（West Lafayette）投入逾40億美元建廠，未來此一位於普渡研究園區（Purdue Research Park）的廠區，將成為美國重要的高頻寬記憶體（HBM）生產基地。這家晶片製造商希望讓生產基地更靠近輝達（Nvidia）、微軟（Microsoft）與Alphabet旗下Google等主要客戶。
SK海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-Jung）預期，新廠區2028年下半年將開始無塵室作業，最終每年能處理數十萬片晶圓。這家晶片製造商希望讓生產基地更靠近輝達（Nvidia）、微軟（Microsoft）與Alphabet旗下Google等主要客戶。
這座廠區將設有次世代HBM封裝產線，以及一座人工智慧（AI）半導體研發設施。郭魯正表示，SK海力士的目標是在美國打造先進記憶體供應鏈。
HBM是一種特殊記憶體晶片，與傳統記憶體產品不同，它與AI處理器緊密整合，形成較高的技術門檻，也讓供應商掌握更大定價權。記憶體產業經歷近期低迷後，此產品已成為製造商主要的成長動能。
根據市調機構Counterpoint Research，SK海力士今年第1季以營收計算，在全球HBM市占率達58%，遠遠領先三星電子（Samsung Electronics）與美光科技（Micron Technology），後兩者各為21%。
美國政府為協助SK海力士在美擴產，已於2024年12月依《晶片法案》（CHIPS Act）敲定4億5,800萬美元補助，以及上限5億美元貸款；SK海力士董事會本月稍早核准2031年以前約383億美元的投資計畫，其中韓國晶片製造廠第2階段擴建約占248億美元。◇
