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韓擴大間諜罪 防晶片技術外流中國

2025年4月24日,一名參觀者在首爾舉行的世界IT展中,觀賞SK海力士HBM技術模型。(Jung Yeon-je/AFP)
2025年4月24日,一名參觀者在首爾舉行的世界IT展中,觀賞SK海力士HBM技術模型。(Jung Yeon-je/AFP)

【記者陳霆/綜合報導】韓國13日起正式擴大間諜罪適用範圍,將過去主要針對北韓的法律,延伸至其他外國或同等組織。修法正值中企快速追趕韓國半導體產業,多宗涉及中國的技術外洩案接連曝光,首爾正將核心技術保護提升至國家安全層級。

據彭博社報導,韓國警方去年偵破的機敏技術外洩案中,約一半涉及中國。三星電子、SK海力士等晶片巨頭,也面臨長鑫存儲(CXMT)、長江存儲(YMTC)等中企追趕。韓國產業通商資源部部長金正官(Kim Jung-kwan)日前表示:「中國的速度超乎想像。這就是為什麼我感到極其強烈的緊迫感。」

73年來首次擴大間諜罪範圍

韓國國會《刑法》修正案是該法自1953年制定以來,73年來首次大幅擴大適用範圍。過去,間諜罪主要針對替「敵國」從事間諜活動的行為,法院實務上把「敵國」解釋為北韓,因此技術交給中企或其他外國實體,檢方往往只能援引其他法律處理。

修法後,為「外國或同等組織」刺探、蒐集國家機密,或洩露、交付、居間轉交國家機密,都可能納入間諜罪。不過,仍要求行為涉及外國實體的「指示或唆使」,以區分間諜活動與一般商業技術移轉。

2020年至2025年上半年,韓國共發生110宗產業技術海外洩密案,其中33宗涉及「國家核心技術」,估計造成23.27兆韓元損失。去年12月,韓國檢方以涉嫌將三星技術洩露給長鑫存儲為由,起訴10人。據路透社報導,一名前三星研究員準備離職加入長鑫存儲時,手抄數百項DRAM製造流程。

三星曾投入1.6兆韓元開發相關DRAM製程,長鑫存儲在調整並驗證外洩資料後,於2023年實現10奈米級DRAM生產,並為開發高頻寬記憶體(HBM)奠定基礎。

新法仍面臨執行問題

業界關注該法適用邊界,認為「國家機密」、「同等組織」等概念有待釐清,以免正常出口、聯合開發或技術支援引發法律爭議。

全北大學國防產業副教授張元俊(Jang Won-joon,音譯)表示:「企業不應因為已簽訂出口合約,就認為所有技術資料都可以提供。」相關風險仍須透過政府審批及企業內控處理。新法生效後,韓國將有法律依據處理洩密案件,但如何界定國家機密,以及如何證明相關行為受到外國實體「指示或唆使」,仍是執法考驗。◇