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半導體進入埃米時代 各大廠爭奪EUV設備搶話語權

圖為半導體生產設備示意圖。(Carsten Koall/Getty Images)
圖為半導體生產設備示意圖。(Carsten Koall/Getty Images)

【記者侯駿霖/綜合報導】半導體先進製程下次決戰點在2奈米,但各大廠包括台積電、三星(Samsung)、英特爾(Intel),都開始為下個世代、埃米(angstorm)時代進行布局,而High-NA(高數值孔徑)EUV(極紫外光刻)技術將是延續摩爾定律的關鍵,因此各大廠將積極引進設備,爭奪先進製程話語權。

根據艾司摩爾(ASML)最新的2024-2025年路徑圖來看,如果要抵達具有高數值孔徑的下一階段,所需時間可能要比預估的少。

目前艾司摩爾推出的3代EUV曝光設備,生產晶片精度最多2奈米,一旦要進入2奈米以下的埃米時代,就得透過更高精準度的曝光設備生產,須使用最先進的High-NA EUV微影設備,這也成為先進製程決勝的關鍵。

艾司摩爾新一代 High-NA EUV(EXE:5200),是邁向2奈米先進製程的關鍵武器,由於精密度更高、設計零件更多,機型不但比前一代還大3成,重量更超過200公噸的雙層巴士,預估每臺造價約4億美元(約新臺幣118.86億元)。

英特爾今年率先宣布,已向艾司摩爾購買業者首臺High-NA量產型EUV設備EXE:5200,每小時晶圓曝光產能逾200片,英特爾指出,未來預計會在2025年使用該設備生產;有分析師也認為,如果英特爾你搶先運用這項設備進行生產,恐怕在半導體「摩爾定律」的競賽上,有機會超車台積電。

但台積電日前於北美技術論壇首度談及EUV設備布局,指出預計在2024年引入EXE:5200,主要用於與合作夥伴的研究。不過,台積電沒有透露大規模量產的時間點。

TechInsights半導體經濟學家G. Dan Hutcheson表示,台積電打算2024年擁有這項設備,就能更快速接觸到最先進技術。

其實早在英特爾要買EXE:5200之前,業界就已傳出台積電早與艾司摩爾採購EXE:5000的機型,除了搶下大部分機臺以外,相關設備今年就可以開始供貨,每小時生產182片晶圓,與量產型機臺差異不大。

故業界認為,英特爾即便率先取得EXE:5200,但對產能幫助可能有限,想奪得未來埃米時代的市場霸主地位,仍是充滿挑戰。