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涉嫌向中共洩漏核心技術 兩韓國人被判有罪

圖為位於首爾瑞草區的三星電子大樓。(JUNG YEON-JE/AFP via Getty Images)
圖為位於首爾瑞草區的三星電子大樓。(JUNG YEON-JE/AFP via Getty Images)

【記者吳歡心/綜合報導】韓企三星和SK海力士長期以來是中共技術偷竊的主要對象。最近再爆出兩宗三星顯示器和SK海力士晶片的核心技術遭盜竊事件,涉案的前三星研究員和韓企高層分別被捕和判刑。

韓國檢方近日以涉嫌違反《不正當競爭防止法》(將商業祕密洩露到國外),起訴前三星顯示器(SDC)首席研究員A某(49歲)。他涉嫌從2018年到2020年5月試圖將三星顯示器的商業祕密OLED顯示器ELA(Excimer Laser Annealing)設備反轉光學系統,以及OCR噴墨設備相關技術洩露給中國企業。

這兩項技術都是三星顯示器有機發光二極體(OLED)製造的核心技術,經濟價值至少達3,400億韓圜(下同,約新臺幣81億元)。

A某在三星顯示器工作超過10年,退休後在韓國設立顯示器企業B公司,再於中國設立C公司。他將三星的OLED顯示器技術轉移到B公司後,試圖再將技術通過C公司向中國企業銷售。為此,他還把在三星顯示器任職時有交情的研究員、職員、朋友也牽入了犯罪中。

與A某共謀的5名同夥於2020年8月被起訴,其中,前三星顯示器研究員等3人被判處有期徒刑1至2年,另2人被判處有期徒刑緩期執行。當時作為主謀的A某逃往中國,今年5月他主動回到韓國接受檢察機關的調查。

海力士的合作企業洩密

此外,首爾中央地方法院9月中旬判處SK海力士的合作企業副社長D某(59歲)有期徒刑1年。

SK海力士的合作企業被判罰款4億元,同時被起訴的7名職員被判處有期徒刑8個月到1年6個月的緩期執行或罰款。他們於2021年1月因涉嫌違反《產業技術保護法》和《不正當競爭防止法》被起訴。

D某等人涉嫌從2018年開始把其與SK海力士合作過程中所掌握的HKMG半導體製造技術和清潔配方等半導體相關核心技術、商業祕密洩露給中國半導體競爭企業。

他們還涉嫌利用從三星電子和子公司Semes前任職員那裡偷偷獲得的超臨界清洗設備圖紙等半導體尖端技術和商業祕密,開發了可以出口中國的設備。超臨界技術是被韓國產業通商資源部指定的國家核心技術。

洩密判太輕 韓政府擬加強處罰

根據韓國法務部《強化技術洩露犯罪量刑標準》的資料顯示,韓國產業技術洩露到海外的件數在最近6年間(2017年至2022年)共達117件,其中36項為國家關鍵技術。根據韓國司法部的數據,洩露到海外的所有案例中92.3%涉及中國的技術盜竊。

但據「全經聯」的資料顯示,2021年因違反產業技術保護法而被處理的一審刑事公審案件中,60.6%判無罪,27.2%判緩期執行。即每10人中有8人洩露技術但沒有入獄。

韓國產業通商資源部今年8月底表示,要強化處罰標準,已經向量刑委員會提交要求對技術洩露犯罪量刑標準進行分離強化的意見。量刑委員會在審議標準案後,將於明年1月確定,預計最終表決將在明年3月進行。◇