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近日三星電子10奈米級DRAM（動態隨機存取記憶體）技術驚傳外流中國長鑫存儲，不僅暴露出韓國企業內控問題，更引發外界對韓國記憶體技術紅利期將大幅縮短的擔憂。不僅如此，中國華為公司更高調宣布旗下人工智慧（AI）晶片將進軍韓國市場，被視為中國AI版「一帶一路」計畫，韓國恐面臨技術流失和市場滲透的雙重打擊。
綜合ChosunBiz等韓媒報導，根據韓國檢方最新調查，DRAM技術外流的關鍵人物是三星前研發人員A先生，他在任職期間將三星耗時5年、投入1.6兆韓圜（約新台幣348億元）研發的10奈米級DRAM的工藝作業計畫（PRP），以手抄本方式帶出公司。
由於DRAM有高達600項程步驟，但這份資料涵蓋了詳細參數，包括氣體配比、反應爐壓力及光阻液參數等，是三星在無數次失敗中累積的精華。
報導指出，A先生將這些機密交給現任長鑫存儲研發負責人、三星前副總裁B先生。調查發現，長鑫存儲藉此數據迅速縮短研發週期，技術匹配度高達98.2%，導致三星因此洩密案損失估達5兆韓圜（約新台幣1088億元）。
更驚人的是，這些涉案人員在中國建立嚴密的行動守則。報導表示，他們透過空殼公司、使用微信與百度郵件規避監控，並約定若遭遇禁止出境等緊急狀況時，以「四顆心（♥♥♥♥）」作為求救暗號。儘管韓國政府對A先生發出國際刑警紅色通緝令，但中國政府仍持續為其延長簽證，形同提供司法庇護，讓韓國引渡程序陷入僵局。
專家：資安鬆散恐終結記憶體紅利期
針對該洩密事件，數位創作者、產業專家Eric Lin近日於臉書指出，美韓陣營原本寄望在記憶體領域建立3到5年的領先優勢，但因韓國廠商對中國資安管理設防不嚴謹，恐怕技術紅利會在2026年劃下句點。
Eric Lin分析，中國對韓國的技術收割已經是「系統化流程」。長鑫存儲不僅接收三星的製程計畫，更透過合作設備商非法取得SK海力士的參數。當中國可以用較低研發成本量產同級DRAM，可能造成市場原先的高毛利結構受到破壞。
Eric Lin認為，長鑫存儲不排除將打通研發高頻寬記憶體（HBM）的道路，直接威脅韓國在AI時代的核心競爭力。他說，若不建立斷層式技術隔離，將使美國箝制中國晶片發展的防禦體系出現破口。
華為AI晶片揮軍韓國 中國戰略觸角再延伸
同時，華為韓國執行長Balian Wang近期在首爾宣布，明年將在韓國推出最高階的Ascend 950 AI晶片及整合式解決方案，為無法取得輝達（NVIDIA）晶片的企業提供「第二選擇」。
對於華為進軍韓國市場，科技媒體《Wccftech》指出，輝達執行長黃仁勳曾談及，中國正推動以AI為核心的「一帶一路」策略。業界擔憂，當韓國企業為了成本或供應穩定選擇華為方案，其研發數據與產業機密恐被「看光」，讓中國更易於精準收割韓國的技術成果，必須審慎。◇
