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近期科技巨頭們頻喊話，希望放緩AI發展腳步，同時讓高頻寬記憶體（HBM）的市場需求狀況再被檢視。不過，不論是三星還是美光等記憶體廠，仍持續推進製程的優化，三星HBM更可能調整使用自家晶圓製造的比例，改為採用台積電（TSMC）製程的基礎裸晶。
據韓媒《ZDNet Korea》報導，業界傳出消息提到，三星電子計畫在客製化HBM的基礎裸晶上，同時採用三星晶圓代工（Samsung Foundry）與台積電的製程，以增加供應鏈的彈性。
HBM裡的基礎裸晶，其作用是負責連接記憶體與系統半導體，以高速傳送及接收資料。過去三星電子與SK海力士（SK hynix）多採用自家DRAM製程生產基礎裸晶，不過這項作法可能轉變。
報導說，從今年開始量產的HBM4起，三星電子與SK海力士將改由晶圓代工製程製造基礎裸晶。相較於DRAM製程，晶圓代工製程有利於在基礎裸晶中整合更多功能，並提高效能及電力效率。
由於三星旗下有晶圓製造部分，可能同時採用自家製造與台積電製造的基礎裸晶。
報導分析，台積電已與輝達等全球大型科技企業建立穩固的供應鏈，在穩定性與效能方面已很有口碑，所以要是三星堅持只採用自家的晶圓製造一站式生產模式，可無法滿足客戶需求。
另外，美光也宣布新的記憶體技術，美光說，推出全球首款 512GB DDR5 RDIMM模組，相較於四條 128GB RDIMM，其運作功耗降低超過 60%。
美光說，目前該技術已成功導入多個伺服器平台，包括超微(AMD-US)與英特爾(INTC-US)等業者均已積極驗證此模組，預計 2027 年下半年配合客戶需求量產。
回到晶圓製造，英特爾正積極拉近與台積電之間的技術差距，科技網路媒體《Wccftech》15日報導，韓國金融公司GF證券分析師指出，英特爾的18A製程良率已大幅改善至80%。今年第2季，其良率傳出僅有65%，如今已有顯著提升。
英特爾與輝達可能共同打造人工智慧（AI）中央處理器（CPU），報導說，GF證券分析師Jeff Pu提到，不排除輝達2028推出的Rosa Feynman資料中心，可能會推出搭載英特爾CPU的版本。
