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美國科技媒體《The Information》近日披露，台積電可能跨足先進記憶體市場，應輝達要求研擬3D DRAM製造計畫，甚至評估興建新廠或收購既有晶圓廠，引發產業界關注。對此，台積電向外媒重申，將持續專注晶圓代工核心業務。不過，韓媒示警，若台積電成功投入記憶體製造，未來可能從GPU、記憶體到先進封裝一手包辦，對韓國記憶體大廠將形成巨大競爭壓力。
3D DRAM是將記憶體單元垂直堆疊，以提高儲存密度，與目前三星電子、SK海力士等業者發展的高頻寬記憶體（HBM）不同，後者主要透過堆疊DRAM晶片來提升資料傳輸速度。
《The Information》7日引述兩名知情人士報導，台積電近期已開始規劃3D DRAM製造計畫，由負責先進封裝業務的副總經理徐國晉主導，可能選擇興建先進記憶體晶片工廠，或收購現有設施改建為記憶體產線。
報導認為，主因AI運算需求快速增加，帶動記憶體供應吃緊、價格上漲，輝達等晶片設計業者也積極尋找更多供應來源。不過，台積電相關投資規模、時程及是否正式推動，目前都尚未明朗。
針對跨足記憶體的傳聞，台積電僅說明，「公司始終專注於專業積體電路晶圓代工，未來也將持續成為全球邏輯晶片產業值得信賴的技術與產能供應商」，未正面回應相關製造計畫。
科技媒體《Tom's Hardware》分析，DRAM與邏輯晶片製程存在技術差異，台積電雖具備先進製程及封裝優勢，卻缺乏DRAM量產經驗，即使決定投入，也需要多年時間克服技術及良率挑戰，短期內難以緩解記憶體供應緊張。
產業專則表示韓系記憶體大廠產能吃緊、報價走高，使輝達尋求更多元供應管道「並非不可能」，台積電可能應客戶要求評估3D DRAM，但記憶體製造本身資本支出龐大，獲利模式與晶圓代工不同，若要量產還可能影響與SK海力士等既有合作關係，不排除短期仍以共同開發或專用技術驗證為主。
不過，韓國《首爾經濟日報》從產業競爭角度觀察，認為台積電若成功跨足記憶體，將改變晶片供應鏈分工。以輝達為例，GPU由台積電代工，搭配的高頻寬記憶體（HBM）則仰賴SK海力士、三星等廠商供應；若台積電進一步掌握記憶體製造，就有機會串聯晶片代工、記憶體及先進封裝，降低對外部供應商的依賴。
報導指出，台灣長期主導晶圓代工，韓國則以DRAM及HBM見長，若台積電進入記憶體市場，恐削弱韓廠議價能力及客戶合作優勢。但3D DRAM距離穩定量產仍有技術門檻，三星、SK海力士及美國美光也都投入研發，韓廠短期內仍具技術與量產經驗優勢。
